一家俄羅斯研究所正在開發(fā)自己的光刻掃描儀,該光刻機(jī)可以用來制造 7nm 制程級別芯片。

目前該機(jī)器正在開發(fā)中,計劃在 2028 年建成。當(dāng)它準(zhǔn)備好時,據(jù)稱可以 ASML 的 Twinscan NXT:2000i 設(shè)備更加高效,后者的開發(fā)時間超過了十年。

 

在 2 月 24 日俄烏沖突后,臺灣地區(qū)迅速禁止向該國出口先進(jìn)芯片。美國、英國和歐盟隨后也采取了制裁措施,實際上禁止了幾乎所有擁有先進(jìn)晶圓廠的合同芯片制造商與俄羅斯實體合作。

此外,像 Arm 這樣的公司也不能將他們的技術(shù)授權(quán)給俄羅斯的芯片公司。因此,俄羅斯政府推出了一項國家計劃,到 2030 年開發(fā)該國自己的 28nm 級制造技術(shù),對盡可能多的外國芯片進(jìn)行逆向工程,并培養(yǎng)當(dāng)?shù)厝瞬艔氖聡a(chǎn)芯片替代工作。

 

但是,到 2030 年,28nm 級的生產(chǎn)節(jié)點依然存在問題。

 

俄羅斯最先進(jìn)的晶圓廠目前只可以使用 65nm 制造技術(shù)生產(chǎn)芯片。同時,由于制裁,美國和歐洲的晶圓設(shè)備制造商無法向俄羅斯供應(yīng)設(shè)備,因此該國要想采用 28nm 節(jié)點,就必須設(shè)計和建造國產(chǎn)晶圓生產(chǎn)設(shè)備。

從本質(zhì)上講,像 ASML 和 應(yīng)用材料(Applied Materials)這樣的公司花了幾十年的時間來開發(fā)和迭代的工作必須趕在大約八年內(nèi)完成。

顯然,根據(jù)俄羅斯科技網(wǎng)站CNews透露的計劃顯示,俄羅斯科學(xué)院的俄羅斯應(yīng)用物理研究所IAP(Russian Institute of Applied Physics )打算在 2028 年之前超越所有人的預(yù)期,生產(chǎn)出具有 7nm 能力的光刻機(jī) 。

能夠使用 7nm 級工藝技術(shù)處理晶圓的現(xiàn)代光刻機(jī)是一種高度復(fù)雜的設(shè)備,它涉及高性能光源、精密光學(xué)和精確計量,等很多關(guān)鍵部件。然而,作為俄羅斯領(lǐng)先的應(yīng)用物理大學(xué),IAP 相信它可以在相對較短的時間內(nèi)開發(fā)出這樣一個工具。

 

該工具將與 ASML 或尼康等公司生產(chǎn)的光刻機(jī)有所不同。

 

例如,IAP 計劃使用大于 600W 的光源(總功率,不是中焦功率),曝光波長為 11.3nm(EUV 波長為 13.5nm,DUV波長 >100nm),這將需要比現(xiàn)在更復(fù)雜的光學(xué)器件。由于該設(shè)備的光源功率相對較低,這將使工具更緊湊,更易于構(gòu)建。

然而,這也意味著其光刻機(jī)的產(chǎn)量將大大低于現(xiàn)代深紫外 (DUV) 設(shè)備的產(chǎn)量。不過根據(jù) IAP 的說法,這可能不是問題。

在時機(jī)方面,IAP 可能有點過于樂觀。對于 32nm 以下的所有芯片,芯片制造商使用所謂的浸沒式光刻技術(shù)(本質(zhì)上是 DUV 工具的助推器)。ASML 于 2003 年底推出 了其第一款浸沒式光刻系統(tǒng)——Twinscan XT:1250i——并計劃在 2004 年第三季度交付一個,以生產(chǎn) 65nm 邏輯芯片和 70nm 半間距 DRAM。

 

該公司花了大約五年時間于 2008 年底宣布推出 其支持 32nm 的 Twinscan NXT:1950i,并于 2009 年開始向客戶交付。

然后,ASML這家市場領(lǐng)導(dǎo)者又花了大約 9 年的時間才在 2018 年交付其支持 7nm 和 5nm 的 Twinscan NXT:2000i DUV 工具。

臺積電在其第一代 N7 制造技術(shù)中使用了具有多重圖案的不太先進(jìn)的工具,但 ASML 的時間安排介紹展示了從 65nm 過渡到 7nm 的難度。ASML 從 65nm 到 7nm 用了 14 年。

 

現(xiàn)在,在芯片生產(chǎn)方面沒有任何經(jīng)驗或與芯片制造商沒有任何聯(lián)系的 IAP 打算在大約 6 年的時間里從頭開始制造一臺支持 7nm 的機(jī)器進(jìn)行量產(chǎn)。雖然這個計劃聽起來不太可行,但看起來 IAP 充滿了熱情。

 

俄羅斯科學(xué)院微結(jié)構(gòu)物理研究所副所長 Nikolai Chkhalo 表示:“全球光刻技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者 ASML 近 20 年來一直在開發(fā)其 EUV 光刻系統(tǒng),并且該技術(shù)已經(jīng)證明是非常復(fù)雜的。

在這種情況下,ASML 的主要目標(biāo)是保持世界上最大的工廠才需要的極高生產(chǎn)力。而在俄羅斯,沒有人需要如此高的生產(chǎn)力。在我們的工作中,我們從國內(nèi)面臨的需求和任務(wù)出發(fā)。這與數(shù)量無關(guān),而與質(zhì)量有關(guān)。首先,我們需要過渡到我們自己的制造工藝,制定自己的設(shè)計標(biāo)準(zhǔn),我們自己的工具、工程、材料,所以我們自己的道路在這里是不可避免的?!?/p>

 

IAP 計劃在 2024 年之前建造一個功能齊全的 alpha 光刻機(jī)。這個光刻機(jī)不必提供高生產(chǎn)率或最大分辨率,但必須能夠工作并對潛在投資者有吸引力。IAP 打算在 2026 年之前制造出具有更高生產(chǎn)率和分辨率的光刻機(jī)測試版。

這臺機(jī)器應(yīng)該可以量產(chǎn),但預(yù)計其生產(chǎn)率不會達(dá)到最大值。據(jù)說光刻掃描儀的最終迭代將在 2028 年問世。它應(yīng)該獲得高性能光源(因此可以帶來更高的生產(chǎn)率)、更好的計量和整體能力。到 2028 年,尚不清楚 IAP和其生產(chǎn)合作伙伴將能夠生產(chǎn)多少臺此類機(jī)器。

應(yīng)該注意的是,晶圓廠設(shè)備不限于光刻機(jī)。還有其他類型的機(jī)器執(zhí)行蝕刻、沉積、抗蝕劑去除、計量和檢查操作,這些機(jī)器不是在俄羅斯制造的。此外,還有一些不太先進(jìn)的機(jī)器,如超純空氣和水發(fā)生器,這些機(jī)器也不是在俄羅斯生產(chǎn)的。

即使 IAP RAS 設(shè)法建造了光刻工具,俄羅斯仍然需要數(shù)百臺設(shè)備才能建造現(xiàn)代化的晶圓廠。此外,能夠為晶圓廠供應(yīng)所需用到的超純原材料的國家也已經(jīng)斷供俄羅斯。